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记忆体 SK hynix 展出 GDDR6 记忆体, 效


昨天 GTC 大会上 SK hynix 展出了新一代的 GDDR6 记忆体以及晶圆,首批的 GDDR6 将会採用20nm製程,单颗粒8Gb(1GB),速度上要比美光的 GDDR6、GDDR5X 还要快,达到了16Gbps。不过量产就要等到2018年初了,届时很可能 NVIDIA Volta 架构显卡会用上。

记忆体  SK hynix 展出 GDDR6 记忆体, 效

SK hynix GDDR6 记忆体频率较 GDDR5 翻了一倍至16Gbps,因此带宽也增加了一倍,工作电压也由1.55V标準电压降低到1.35V,功耗也能下降个10%。384 bit 的记忆体位宽以及最高786GB/s带宽,全面超越 GDDR5 和 GDDR5X。SK hynix GDDR6 的规格要比美光、三星公布的产品更高一些,但后两者开发进度更快,相应量产时间会早于 SK hynix。

记忆体  SK hynix 展出 GDDR6 记忆体, 效
在两者对比中,SK hynix 还说明 GDDR6 将会有16Gb颗粒。
记忆体  SK hynix 展出 GDDR6 记忆体, 效
现场展出的 GDDR6 显卡颗粒,型号为 H56C8H24MJR S2C 715A。
记忆体  SK hynix 展出 GDDR6 记忆体, 效
SK hynix 首次展出 GDDR6 晶圆
记忆体  SK hynix 展出 GDDR6 记忆体, 效

记忆体  SK hynix 展出 GDDR6 记忆体, 效
虽然 SK hynix 表示2018年初能量产初GDDR6,但按照以往经常修改产品规划书,能不能按时出货都是个问题。NVIDIA 在记忆体选择上走着与 AMD 使用高带宽的HBM截然不同的道路,在 GTX 1080 Ti、GTX 1080、Titan Xp 上使用的高频率 GDDR5X,依靠超高的频率挽回带宽上的劣势,而 GDDR6 频率更上一层楼,HBM2 超高带宽优势也就蕩然无存了,加之 HBM2 成本居高不下,显卡上全面应用难度太大,估计依然会保持只使用在最高端产品上。







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